Версия для печати

Академику Сигову Александру Сергеевичу - 70 лет!

АКАДЕМИК

СИГОВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ

Александр Сергеевич Сигов родился 31 мая 1945 года в г. Донецке.

В 1968 году окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова по кафедре квантовой теории. В 1971 году окончил аспирантуру Физфака МГУ и был распределен в МИРЭА, где и работает по настоящее время.
С 1998 по 2013 г.— ректор МИРЭА. С 2013 года — Президент МГТУ МИРЭА.

Член-корреспондент с 2006 года, академик РАН с 2011 года - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Специалист в области элементной базы информационных систем, твердотельной электроники и материаловедения.

Основные научные результаты:

создано новое направление – активные диэлектрики для электронно-компонентной базы, в рамках которого разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные запоминающие устройства (ЗУ), микроэлектромеханические, системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотониники;

исследован и внедрен в промышленность новый класс диэлектрических материалов для формирования диэлектрических слоев многоуровневой разводки интегральных схем;

выполнены фундаментальные исследования свойств гетероструктур на основе пленок ферроиков, роли дефектов разных типов и процессов самоорганизации в упорядоченных структурах для перспективных устройств наноэлектроники, включая системы с фазовыми превращениями, гигантским магнетосопротивлением, бистабильностью (результаты использованы при создании магнитных накопителей, датчиков магнитного поля, интегральных ЗУ).

Он подготовил 10 докторов и 17 кандидатов наук.

Автор и соавтор более 300 научных трудов, 7 монографий, 14 учебников и 33 изобретения.

Главный редактор журнала «Наноматериалы и наноструктуры», член редакционных коллегий и советов международных и российских журналов - «Известия РАН (серия физическая)», «Микросистемная техника», «Integrated Ferroelectrics» и др.

Член Научного совета при Совете Безопасности РФ, член бюро – Председатель секции по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков Объединенного Совета РАН по физике конденсированных сред и ряда советов Минобрнауки России, Европейского физического общества и Института электроинженеров (Англия), заместитель председателя Межгосударственного совета по микронаномехатронике.

Лауреат Государственной премии РФ.

Лауреат премии Правительства РФ (трижды).

Заслуженный деятель науки РФ.

Награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени.