Гладков П.С.

Публикации

  1.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С.
    Зависимость сверхтонкого расщепления от одноосного сжатия в спектре ЭПР фосфора в сильнолегированном кремнии n-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.4(2) , с. C.325-328 , 01.1970

  2.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. ,     Михалевич В.Г.
    ЭПР фосфора в компенсированном n-Si при одноосном сжатии. Физ. и техн. полупровод. , Т.4,N9 , с. C.1736-1739 , 01.1970

  3.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. ,     Михалевич В.Г. ,     Шипуло Г.П.
    Цикотронный резонанс в чистом германии при большой оптической накачке. Кратк. сообщ. по физ. , Vol.12,N1 , с. C.17-23 , 01.1971

  4.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С.
    Фотоэлектрический эффект в компенсированном кремнии р-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.5,N11 , с. C.2219-2221 , 01.1971

  5.   Пенин Н.А. ,     Фрадков А.Б. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С.
    Прибор для исследования фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках. Приборы и техн. эксперим. , N1 , с. C.201-202 , 01.1972

  6.   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гладков П.С.
    Высокочастотная фотопроводимость и рекомбинационное излучение чистого германия при высокой интенсивности оптического возбуждения при низких температурах. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N10 , с. C.1919-1923 , 01.1972


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад