Родился 26.11.1931, Одесса В 1956 г. закончил Электромеханический факультет Московского энергетического института, затем занимался научной деятельностью в Физическом институте АН СССР. В 1966 г. защитил кандидатскую диссертацию «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия», в 1980 г. защитил докторскую диссертацию «Исследование границы раздела германий – диэлектрик». В 1983 г. ему было присвоено звание профессора. В 1990 г. избран членом-корреспондентом АН СССР по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации АН СССР (специальность «Элементная база»). В 1962 г. И.Г. Неизвестный назначен заместителем директора по научной работе Института физики твёрдого тела и полупроводниковой электронике СО АН СССР (с 1964 г. Институт физики полупроводников – ИФП СО АН СССР, затем РАН). С 1962 г. по 1973 г. и с 1980 г. по 2004 г. он - заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН, с 1973 г. по 1980 г. – заведующий Лабораторией «Физика и технология германиевых МДП-структур» ИФП СО АН СССР. С 2004 года он - советник РАН и заведующий Отделом «Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники» ИФП СО РАН. Член-корреспондент РАН c 15.12.1990 - Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база)

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад