Забродский Андрей Георгиевич

направления деятельности

Забродский А.Г. – специалист в области физики полупроводников. Известен своими экспериментальными исследованиями прыжкового электронного транспорта, фазового перехода II-го рода металл-изолятор, электронных и спиновых корреляций в неупорядоченных системах – легированных полупроводниках. С его именем связано открытие роли электронных и спиновых корреляций в этих системах: кулоновско-щелевой природы низкотемпературного изоляторного состояния, эффектов схлопывания кулоновской щели в точке перехода и ее теплового «замытия», обнаружение локально магнитоупорядоченных фаз вблизи перехода металл-изолятор в немагнитных полупроводниках. Исходя из особенностей кинетики нейтронного трансмутационного легирования природной смеси изотопов германия, сопровождающейся сканированием уровней Ферми состояний в его запрещенной зоне, Забродский А.Г. поставил серию экспериментов на стыке полупроводниковой и ядерной физики, уточнил ядерно-физические постоянные «легирующих» изотопов германия и разработал не имеющий аналогов метод так называемой «фермиуровневой спектроскопии». Выполнил цикл работ по созданию высокочувствительной бесконтактной диагностики на основе техники ЭПР и ее использованию для исследования кластеров сверхпроводящих, изоляторных и металлических фаз, слабых (в частности, квантовых) магниторезистивных эффектов, локального антиферромагнитного упорядочения донорных спинов вблизи перехода металл-изолятор и регистрации возникающих при этом напряжений кристаллической решетки. В последние годы развивает исследования и разработки в области полупроводниковых и лазерных технологий для задач альтернативной энергетики.
Забродский А.Г. – почетный профессор Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, руководит основанной им кафедрой в СПб ГЭТУ; с 1989 г. заведует лабораторией в ФТИ РАН и руководит научной школой. Забродский А.Г. - председатель Ученого совета ФТИ РАН, член Бюро Совета директоров институтов РАН и ряда научных советов РАН, член Президиума СПбНЦ РАН.

Ключевые слова

Физика полупроводников

Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад