Копыловский Б.Д.

Публикации

    Страницы:   1   2 


  1.   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Иванов В.С. ,     Славов А.В.
    Калориметрический измеритель мощности полупроводниковых квантовых генераторов. Электроника в физическом эксперименте , с. С.94-96

  2.   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Гоголин О.В. ,     Артемьев Н.Л. ,     Ефимов Ю.А.
    Инфракрасный телевизионный микроскоп для исследования рекомбинационного излучения и оптических свойств полупроводников / Отв. ред. Д.В.Скобельцын. Электроника в физическом эксперименте , с. С.97-100

  3.   Шотов А.П. ,     Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Хвощев А.Н. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Иванов В.С.
    Электронная аппаратура для исследования рекомбинационного излучения в полупроводниках. Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.167-171 , 01.1964

  4.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Копыловский Б.Д. ,     Муминов Р.А.
    Спонтанное и когерентное излучение электронно-дырочной плазмы антимонида индия. Физ. тверд. тела , Т.8,N4 , с. C.1083-1087 , 01.1966

  5.   Фабелинский И.Л. ,     Маш Д.И. ,     Копыловский Б.Д. ,     Арефьев И.М.
    Применение гетеродинирования света, рассеянного жидкими растворами, для определения коэффициентов диффузии. Письма в ЖЭТФ , Т.5,N12 , с. C.438-442 , 01.1967

  6. О. Н. Крохин ,     Шотов А.П. ,     Вул Б.М. ,     Багаев В.С. ,     Басов Н.Г. ,     Копыловский Б.Д. ,     Маркин Е.П. ,     Попов Ю.М. ,     Хвощев А.Н.
    Полупроводниковый квантовый генератор на p-n-переходе в GaAs. Докл. АН СССР , Т.150,N2 , с. C.275-278 , 01.1963

  7.   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Иванов В.С. ,     Королев Ю.Н.
    Некоторые тепловые эффекты в полупроводниковых квантовых генераторах из GaAs. Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.185-189 , 01.1966

  8.   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Гоголин О.В.
    Использование высокоомных кристаллов GaAs для модуляции света. Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N8 , с. C.1202-1206 , 01.1967

  9.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Копыловский Б.Д. ,     Жоховец С.В.
    Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на электрические характеристики p-n переходов в Pb_1-xGe_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N6 , с. C.1132-1137 , 01.1978

  10.   Пенин Н.А. ,     Галкина Т.И. ,     Копыловский Б.Д. ,     Алексеев А.С.
    Излучательный захват электронов нейтральными атомами ртути. Физ. тверд. тела , N7 , с. C.2145-2146 , 01.1970


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад