| |
- Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н.
Фотолюминесценция нелегированных и легированных полупроводников типа А~IVB~VI.
Совещание по физике узкозонных полупроводников. Тез. докл. , с. С.5-6
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Гуреев Д.М. , Даварашвили О.И.
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев PbSnSe и PbSnTe.
IV Всесоюз.совещ. по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Труды , с. С.54-57
- Шотов А.П. , Муминов Р.А. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н.
Пинч-эффект в вырожденной электронно-дырочной плазме антимонида индия.
IX Междунар. конф. по физике полупроводников. Труды. Москва, 23-29 июля 1968 г. Т.II. , с. С.891-897
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н.
Перестройка частоты когерентного излучения антимонида индия с помощью магнитного поля.
Физ. и техн. полупровод. , Т.4(2) , с. C.337-340 , 01.1970
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н.
Исследование полупроводниковых лазеров в качестве источников излучения для спектральных измерений.
Ж. прикл. спектроскопии , Т.15,N2 , с. C.349-352 , 01.1971
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н.
Магнитоперестраиваемое вынужденное комбинационное рассеяние в антимониде индия.
Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.81-87 , 01.1971
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н.
Влияние магнитного поля на спонтанное когерентное излучение p-n переходов в PbSe.
Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N7 , с. С.1288-1291 , 01.1972
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Погодин В.И.
Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Pb_1-xSn_xSe.
Физ. и техн. полупровод. , Т.8,N4 , с. C.732-736 , 01.1974
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н.
Инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe.
Письма в ЖТФ , Т.1,N7 , с. C.341-343 , 01.1975
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Гуреев Д.М. , Даварашвили О.И.
Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe.
Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N10 , с. C.1902-1908 , 01.1975
|
