Shotov A.P. ,     Berozashvili Y.N. ,     Keldysh L.V. ,     Vul B.M. ,     Zavaritskaya E.I. ,     Bagaev V.S. About the energy spectrum of the heavily doped GaAs (Об энергетическом спектре сильно легированного арсенида галлия) / Ed.Dunod. Radiative recombination. Simpos. 7-th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors, Paris, 1964 , с. P.149-154

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад