Сибельдин Н.Н. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Заварицкая Т.Н. , Мельник Н.Н. , Погосов А.О. Особенности формирования квантовых ям при низкотемпературной эпитаксии германия на кремнии. "Нанофотоника". Материалы совещания. Нижний Новгород, 2002 , с. С.173-175 Сибельдин Н.Н. , Цветков В.А. , Скориков М.Л. Кинетика образования экситонных комплексов в квантовых ямах нелегированных GaAs/AlGaAs структур. V Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 2001 , с. С.131 Сибельдин Н.Н. , Цветков В.А. , Скориков М.Л. Особенности кинетики образования экситонных комплексов в квантовых ямах нелегированных GaAs/AlGaAs структур при надбарьерным фотовозбуждении. "Нанофотоника". Материалы совещания. Нижний Новгород, 2001 , с. С.115-118 Сибельдин Н.Н. , Цветков В.А. , Скориков М.Л. Фотомодуляционная спектроскопия люминесценции и резонансного рэлеевского рассеяния в гетероструктурах с GaAs/AlGaAs квантовыми ямами. XXII Съезд по спектроскопии. Звенигород, 2001: Тез.докл. , с. С.71 Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М. Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле. Нанофотоника. Материалы совещания, 20-23 марта 2000, г.Нижний Новгород , с. С.52-55 Сибельдин Н.Н. , Тимофеев В.Б. Экситонные состояния, межчастичные взаимодействия и оптические процессы в полупроводниковых низкоразмерных системах. 2 Российско-Украинский семинар "Нанофизика и наноэлектроника". Киев, 2000: Тез. докл. , с. С.10-11 Сибельдин Н.Н. , Цветков В.А. , Этьен Б.. , Скориков М.Л. Перенос энергии фотовозбуждения между квантовыми ямами в GaAs/AlGaAs структурах. 4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.137 Виноградов В.С. , Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Пудонин С.А. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М. Влияние электрического поля на положение уровней энергии в потенциальной яме. 4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.192 Сибельдин Н.Н. , Цветков В.А. , Этьен Б.. , Скориков М.Л. , Муляров Е.А. Экситонные состояния в структурах с мелкими квантовыми ямами. Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.156-160 Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М. Отрицательная емкость в Si/Ge структурах с квантовыми ямами. Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.262-264