| | - Шотов А.П. , Кучеренко И.В. , Королев Ю.Н. , Чижевский Е.Г.
Электрические свойства кристаллов Pb_1-xSn_xSe, выращенных из паровой фазы.
Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N8 , с. C.1508-1513 , 01.1972
- Шотов А.П. , Чижевский Е.Г. , Даварашвили О.И.
Легирование индием полупроводников с узкой запрещенной зоной.
Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. C.14-16 , 01.1976
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Чижевский Е.Г.
Перестраиваемый давлением инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe.
Квант. электрон. , Т.5,N3 , с. C.692-694 , 01.1978
- Шотов А.П. , Кучеренко И.В. , Чижевский Е.Г. , Свистов А.Е. , Панкратов О.А.
Резонансные состояния вблизи дна зоны проводимости в нелегированных кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x=0.2-0.33).
Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N9 , с. C.1583-1587 , 01.1984
- Шотов А.П. , Мурзин В.Н. , Чижевский Е.Г. , Косичкин Ю.В. , Свистов А.Е. , Мельничук И.М. , Брянов Д.И.
Магнетосопротивление микроконтактов на основе полупроводников типа А_4В_6.
Физ. тверд. тела , Т.34,N11 , с. C.3339-3344 , 01.1992
- Шотов А.П. , Мурзин В.Н. , Чижевский Е.Г. , Косичкин Ю.В. , Свистов А.Е. , Мельничук И.М. , Брянов Д.И.
Магнетосопротивление микроконтактов металл-полупроводник типа А4В6.
Кратк. сообщ. по физ. , N5-6 , с. C.39-42 , 01.1992
- Мурзин В.Н. , Ефимов Ю.А. , Чижевский Е.Г. , Карузский А.Л. , Цховребов А.М. , Пересторонин А.В. , Расулова Г.К. , Белоушкин А.А. , Игнатьев А.С.
Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором.
Физ. и техн. полупровод. , Т.32,N1 , с. C.124-127 , 01.1998
|
