| |
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Гуреев Д.М. , Даварашвили О.И.
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев PbSnSe и PbSnTe.
IV Всесоюз.совещ. по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Труды , с. С.54-57
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Гуреев Д.М. , Даварашвили О.И.
Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe.
Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N10 , с. C.1902-1908 , 01.1975
- Шотов А.П. , Чижевский Е.Г. , Даварашвили О.И.
Легирование индием полупроводников с узкой запрещенной зоной.
Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. C.14-16 , 01.1976
- Шотов А.П. , Даварашвили О.И. , Бабушкин А.В.
Фотопроводность полупроводниковых слоев Pb_1-xSn_xSe и Pb_1-xSn_xTe, легированных йодом.
Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. С.17-20 , 01.1976
- Шотов А.П. , Даварашвили О.И.
Эпитаксиальные слои Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe.
Изв. АН СССР. Неорган. материалы , Т.13,N4 , с. C.610-612 , 01.1977
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Гуреев Д.М. , Даварашвили О.И.
Гетеролазеры с оптической накачкой на основе четырехкомпонентных твердых растворов Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y c согласованными решетками на гетерогранице.
Квант. электрон. , Т.5,N12 , с. C.2630-2633 , 01.1978
- Шотов А.П. , Даварашвили О.И. , Бабушкин А.В.
Лазерные гетероструктуры на основе твердых растворов Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y.
Письма в ЖТФ , Т.5,N24 , с. C.1488-1492 , 01.1979
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Гуреев Д.М. , Даварашвили О.И.
Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xSe(O<=x"приблизительно"< O.4).
Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N9 , с. C.1752-1755 , 01.1979
- Шотов А.П. , Даварашвили О.И. , Адонин А.С. , Рябцев Н.Г. , Чиковани Р.И.
Исследование поверхности ликвидус в системе Pb-Sn-Se методом симплексных решеток.
Электрон. техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы , N6(116) , с. C.11-15 , 01.1977
- Шотов А.П. , Засавицкий И.И. , Даварашвили О.И. , Елисеев П.Г. , Долгинов Л.М.
Многокомпонентные твердые растворы соединений А~IV В~VI.
Квант. электрон. , Т.4,N4 , с. C.904-907 , 01.1977
|
