| | - Шотов А.П. , Кучеренко И.В. , Моисеенко В.Н. , Вяткин К.В.
Измерение коэффициента анизотропии поверхности Ферми в полупроводниках Pb_1-xSn_xSe.
Физ. и техн. полупровод. , T.11,N9 , с. C.1831-1834 , 01.1977
- Шотов А.П. , Вяткин К.В. , Синятынский А.А.
Инжекционные лазеры с двойной гетероструктурой на основе Pb_1-xSn_xSe, изготовленные методом молекулярной эпитаксии.
Письма в ЖТФ , Т.6,N16 , с. C.983-986 , 01.1980
- Шотов А.П. , Вяткин К.В.
ДГС лазеры на основе Pb_1-xSn_xSe, работающие в непрерывном режиме при 80 К.
Письма в ЖТФ , Т.6,N19 , с. C.1199-1202 , 01.1980
- Шотов А.П. , Вяткин К.В.
Оптические свойства эпитаксиальных пленок PbSe.
Физ. и техн. полупровод. , Т.14,N7 , с. C.1331-1334 , 01.1980
- Шотов А.П. , Вяткин К.В. , Урсаки В.В.
Тонкие слои Pb_1-xSn_xSe, выращенные методом "горячей стенки".
Изв. АН СССР. Неорган. материалы , Т.17,N1 , с. C.24-27 , 01.1981
- Шотов А.П. , Вяткин К.В. , Батраков А.В. , Легостаев В.М. , Подтаев С.Ю.
Исследование фотоэлектрических свойств легированных сверхрешеток на основе PbSe.
Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.32-34 , 01.1990
- Шотов А.П. , Вяткин К.В. , Подтаев С.Ю. , Пименова Т.В. , Утробина И.К. , Федорова Н.М.
Влияние условий выращивания эпитаксиальных пленок Pb_0.95Sn_0.05Se ( и качества подложки BaF_2 ) на свойства барьеров Шоттки.
Кратк. сообщ. по физ. , N9 , с. C.23-26 , 01.1990
|
