Матвеенко А.В.

Публикации

  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В.
    Гетеролазеры на основе Pb_1-xSn_xTe, получаемые методом мгновенного испарения в вакууме. Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N5 , с. C.887-890 , 01.1979

  2.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Пелевин О.В. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Абрютина Т.П. ,     Николаева М.И.
    Влияние примесей на фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(х*О,2). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N5 , с. C.949-956 , 01.1981

  3.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Отрицательная фотопроводимость в Pb_1-xSn_x_Te:In. Письма в ЖЭТФ , Т.37,N10 , с. P.456-459 , 01.1983

  4.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Кинетика фотопроводимости в Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N12 , с. P.2184-2189 , 01.1983

  5.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В.
    Фотолюминесценция квантово-размерных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Письма в ЖЭТФ , Т.43,N3 , с. C.140-142 , 01.1986

  6.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.20,N2 , с. C.214-220 , 01.1986

  7.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe. Пр.ФИАН , N194 , с. C.1-23 , 01.1983

  8.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В. ,     Саксеев Д.А.
    Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb_1-xSn_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N1 , с. С.57-62 , 01.1987

  9.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т.
    Бесфоновый спектр поглощения Pb_1-xSn_xTe:In и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины. Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N10 , с. C.1789-1795 , 01.1987

  10.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Валейко М.В.
    Деформационные потенциалы PbTe. Физ. тверд. тела , Т.33,N4 , с. C.1086-1093 , 01.1991


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад