| | - Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Караваев С.М. , Бритов А.Д. , Максимовский С.Н. , Ревокатова И.П. , Аверьянов И.С. , Пырегов Б.П. , Мызина В.А.
Перестраиваемый гетеролазер на Pb{1-y}Sn{y}Se-PbSe.
Квант. электрон. , Т.3,N11 , с. C.2513-2515 , 01.1976
- Шотов А.П. , Максимовский С.Н. , Сидоров П.П.
Люминесцентные пленки ZnSe:Yb, ZnSe:Dy и ZnS:Tm, выращенные фотостимулированной эпитаксией.
Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.45-46 , 01.1988
- Шотов А.П. , Максимовский С.Н. , Сидоров П.П.
Свойства напряженных слоев ZnSe, выращенных на подложках из Si и ZnS фотостимулированной эпитаксией.
Кратк. сообщ. по физ. , N3 , с. C.38-40 , 01.1989
- Шотов А.П. , Максимовский С.Н. , Сидоров П.П.
Зависимость излучательных свойств пленок ZnSe на Si от ориентации подложки.
Кратк. сообщ. по физ. , N5 , с. C.45-46 , 01.1989
- Пенин Н.А. , Максимовский С.Н. , Нолле Э.Л. , Лойко Н.Н. , Петров А.Э. , Турьянский А.Г.
Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости.
Физ. тверд. тела , Т.24,N9 , с. C.2595-2598 , 01.1982
- Шотов А.П. , Максимовский С.Н. , Сидоров П.П. , Октябрьский С.Р.
Фотостимулированная эпитаксия из паровой фазы при пониженном давлении пленок ZnSe на (100) Si.
Письма в ЖТФ , Т.16,N14 , с. C.74-78 , 01.1990
|
