| | - Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Болтаев А.П. , Соловьев Н.Н.
Измерение слабой модуляции излучения с помощью фотосопротивления.
Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N7 , с. C.1391-1394 , 01.1972
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Болтаев А.П. , Соловьев Н.Н.
Высокочастотная модуляция 10-микронного излучения с помощью эффекта нагревания носителей электрическим полем в германии р-типа.
Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N10 , с. C.1896-1900 , 01.1973
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Соловьев Н.Н.
Примесный фотоэффект в p-n переходе из германия.
Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N9 , с. C.1856-1858 , 01.1978
- Пенин Н.А. , Соловьев Н.Н. , Галкин М.Г.
Спектр возбужденных состояний однократно заряженного иона цинка в германии.
Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N4 , с. C.740-742 , 01.1983
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Соловьев Н.Н.
Определение степени компенсации в примесном полупроводнике по измерениям оптического поглощения.
Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N2 , с. C.285-288 , 01.1984
- Пенин Н.А. , Соловьев Н.Н. , Галкин М.Г.
Влияние электрон-фононного взаимодействия на ширину линии спектра возбужденных состояний иона Zn[-] в германии.
Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N3 , с. C.512-516 , 01.1985
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Соловьев Н.Н.
Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge:Hg).
Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N6 , с. C.1008-1011 , 01.1985
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Соловьев Н.Н. , Галкин М.Г.
Резонансная структура в непрерывной полосе фотоионизации иона Zn[-] в германии.
Кратк. сообщ. по физ. , N3 , с. C.23-24 , 01.1988
|
