Бурбаев Т.М.

Публикации

    Страницы:   1   2 


  1.   Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Заварицкая Т.Н. ,     Мельник Н.Н. ,     Погосов А.О.
    Особенности формирования квантовых ям при низкотемпературной эпитаксии германия на кремнии. "Нанофотоника". Материалы совещания. Нижний Новгород, 2002 , с. С.173-175

  2.   Пенин Н.А. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Бурбаев Т.М. ,     Рзаев М.М.
    Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния. Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.180-183

  3.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М.
    Обнаружительная способность фотоприемника из германия, легированного цинком и сурьмой при температурах жидкого азота. Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N2 , с. C.292-296 , 01.1975

  4.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М.
    Определение дрейфовой подвижности по измерениям шума фотосопротивлений. Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N5 , с. C.1008-1010 , 01.1976

  5.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М.
    Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках. Квант. электрон. , Т.6,N10 , с. C.2209-2214 , 01.1979

  6.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М.
    Токовая фоточувствительность и время жизни неравновесных дырок в германии с примесью цинка. Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N9 , с. С.1771-1774 , 01.1979

  7.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М.
    Влияние случайного поля на энергию активации второго уровня цинка в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N8 , с. C.1486-1492 , 01.1981

  8.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А.
    Зависимость времени жизни неравновесных дырок в р-германии от концентрации центров рекомбинации - ионов Zn - и температуры. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N4 , с. C.674-678 , 01.1983

  9.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А.
    Сечение захвата дырок ионами Hg[-] в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N2 , с. C.319-323 , 01.1984

  10.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А.
    Кинетика фотопроводимости германия, легированного цинком, при малых временах фотоответа. Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N10 , с. C.1736-1740 , 01.1985


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад