| |
- Сибельдин Н.Н. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Заварицкая Т.Н. , Мельник Н.Н. , Погосов А.О.
Особенности формирования квантовых ям при низкотемпературной эпитаксии германия на кремнии.
"Нанофотоника". Материалы совещания. Нижний Новгород, 2002 , с. С.173-175
- Пенин Н.А. , Сибельдин Н.Н. , Курбатов В.А. , Болтаев А.П. , Бурбаев Т.М. , Рзаев М.М.
Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния.
Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.180-183
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М.
Обнаружительная способность фотоприемника из германия, легированного цинком и сурьмой при температурах жидкого азота.
Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N2 , с. C.292-296 , 01.1975
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М.
Определение дрейфовой подвижности по измерениям шума фотосопротивлений.
Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N5 , с. C.1008-1010 , 01.1976
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М.
Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках.
Квант. электрон. , Т.6,N10 , с. C.2209-2214 , 01.1979
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М.
Токовая фоточувствительность и время жизни неравновесных дырок в германии с примесью цинка.
Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N9 , с. С.1771-1774 , 01.1979
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М.
Влияние случайного поля на энергию активации второго уровня цинка в германии.
Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N8 , с. C.1486-1492 , 01.1981
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Асланов Г.А.
Зависимость времени жизни неравновесных дырок в р-германии от концентрации центров рекомбинации - ионов Zn - и температуры.
Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N4 , с. C.674-678 , 01.1983
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Асланов Г.А.
Сечение захвата дырок ионами Hg[-] в германии.
Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N2 , с. C.319-323 , 01.1984
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Асланов Г.А.
Кинетика фотопроводимости германия, легированного цинком, при малых временах фотоответа.
Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N10 , с. C.1736-1740 , 01.1985
|
