Гершензон Е.М.

Публикации

  1.   Чуенков В.А. ,     Банная В.Ф. ,     Веселова Л.И. ,     Гершензон Е.М.
    Влияние компенсации примесей на электрический пробой в n-Ge. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N10 , с. C.1972-1977 , 01.1972

  2.   Чуенков В.А. ,     Банная В.Ф. ,     Веселова Л.И. ,     Гершензон Е.М.
    Влияние магнитного поля на примесный пробой в чистом германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N2 , с. C.338-344 , 01.1976


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад