| | - Шотов А.П. , Даварашвили О.И. , Чиковани Р.И. , Елисеев П.Г. , Бычкова Л.П. , Сагинури М.И.
Анализ факторов влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1-xSn_xSe.
Квант. электрон. , Т.9,N11 , с. C.2140-2150 , 01.1982
- Шотов А.П. , Даварашвили О.И. , Гегиадзе Г.Г. , Чиковани Р.И. , Зломанов В.П. , Бычкова Л.П.
Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xSe.
Докл. АН СССР , Т.259,N1 , с. C.83-86 , 01.1981
- Шотов А.П. , Даварашвили О.И. , Курицын Ю.А. , Бычкова Л.П. , Кривцун В.М.
Исследование ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe.
Квант. электрон. , Т.19,N2 , с. C.128-131 , 01.1992
- Шотов А.П. , Даварашвили О.И. , Бычкова Л.П.
Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y, изопериодического с PbSe, в рамках p-модели.
Физ. и техн. полупровод. , Т.26,N2 , с. C.:280-283 , 01.1992
- Шотов А.П. , Даварашвили О.И. , Бычкова Л.П.
О температурной зависимости порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe.
Квант. электрон. , Т.20,N4 , с. C.345-348 , 01.1993
|
