| | - . , Гришечкина С.П. , Кучеренко И.В. , Капаев В.В. , Воронова И.Д. , Алещенко Ю.А. , Кадушкин В.И. , Фомичев С.И.
Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям.
Письма в ЖЭТФ , Т.58,N5 , с. C.377-380 , 01.1993
- . , Капаев В.В. , Алещенко Ю.А. , Заварицкая Т.Н. , Мельник Н.Н.
Резонансное комбинационное рассеяние света и эффекты передислокации в сверхрешетках GaAs/AlGaAs.
Письма в ЖЭТФ , Т.59,N4 , с. C.235-239 , 01.1994
- Мурзин В.Н. , Митягин Ю.А. , Карузский А.Л. , Алещенко Ю.А. , Мельник Н.Н. , Квит А.В. , Пересторонин А.В.
Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям.
Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996
- . , Капаев В.В. , Алещенко Ю.А. , Мельник Н.Н.
Обусловленный флуктуациями параметров эквидистантный спектр локализованных состояний в квантово-размерных структурах.
Письма в ЖЭТФ , Т.63,N4 , с. C.260-265 , 01.1996
- . , Капаев В.В. , Алещенко Ю.А. , Заварицкая Т.Н. , Мельник Н.Н.
Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs.
Физ. и техн. полупровод. , Т.30,N5 , с. C.812-819 , 01.1996
- . , Капаев В.В. , Алещенко Ю.А. , Казаков И.П.
Трансформация размерности экситонных состояний в квантовых ямах с несимметричными барьерами в электрическом поле.
Письма в ЖЭТФ , Т.67,N3 , с. C.207-211 , 01.1998
- . , Капаев В.В. , Корняков Н.В. , Алещенко Ю.А. , Казаков И.П. , Тюрин А.Е.
Интерференционная ионизация примеси электрическим полем в системе квантовых ям.
Письма в ЖЭТФ , Т.69,N3 , с. C.194-199 , 01.1999
|
