Ноздрин В.С.

Публикации

  1.   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Антоненко С.В. ,     Ноздрин В.С. ,     Жабрев Г.И.
    Чувствительность верхнего критического поля к дефектам структуры и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC, Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho). Пр. ФИАН , N7 , с. 32 c. , 01.1996

  2.   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С.
    Верхнее критическое магнитное поле и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC,Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho). Физ. тверд. тела , Т.38,N7 , с. C.1969-1985 , 01.1996

  3.   Головашкин А.И. ,     Печень Е.В. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С.
    Определение плотности электронных состояний RBaCuO и NdCeCuO из данных для критического поля H_c2. Кратк. сообщ. по физ. , N1-2 , с. C.20-27 , 01.1997

  4.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Калюжная Г.А. ,     Ноздрин В.С.
    Экранирование переменного магнитного поля пленками и монокристаллами высокотемпературных сверхпроводников. Физ. тверд. тела , Т.39,N2 , с. C.228-230 , 01.1997

  5.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С. ,     Малакшинов Н.П.
    Использование эффекта экранирования магнитного поля пленками ВТСП для коммутации СВЧ-сигналов. Письма в ЖТФ , Т.24,N13 , с. C.76-81 , 01.1998

  6.   Мицен К.В. ,     Иваненко О.М. ,     Красносвободцев С.И. ,     Братухин П.В. ,     Ноздрин В.С.
    Эпитаксиальные пленки Nd_1.85Ce_0.15CuO_4: особенности синтеза и сверхпроводящие свойства. Письма в ЖТФ , Т.22,N24 , с. C.1-6 , 01.1996


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад