| | - Карузский А.Л. , Квит А.В. , Медведев С.А. , Клевков Ю.В. , Пересторонин А.В. , Свербиль П.П.
Исследование глубоких примесных центров в ZNTe методом оптической спектроскопии вторичного излучения при Т=4.2К.
Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.56
- Мурзин В.Н. , Карузский А.Л. , Квит А.В. , Пересторонин А.В.
Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами.
Кратк. сообщ. по физ. , Т9-10 , с. C.3-9 , 01.1994
- Мурзин В.Н. , Митягин Ю.А. , Карузский А.Л. , Алещенко Ю.А. , Мельник Н.Н. , Квит А.В. , Пересторонин А.В.
Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям.
Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996
- Багаев В.С. , Зайцев В.В. , Онищенко Е.Е. , Квит А.В. , Медведев С.А. , Клевков Ю.В. , Цикунов А.В. , Пересторонин А.В. , Клоков А.В. , Якимов М.Я.
Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe.
Физ. тверд. тела , Т.40,N6 , с. C.1010-1017 , 01.1998
- Багаев В.С. , Плотников А.Ф. , Квит А.В. , Медведев С.А. , Клевков Ю.В. , Пересторонин А.В.
Динамика измерения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов.
Физ. и техн. полупровод. , Т.34,N1 , с. C.19-22 , 01.2000
- Багаев В.С. , Плотников А.Ф. , Квит А.В. , Медведев С.А. , Клевков Ю.В. , Пересторонин А.В.
Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов.
Физ. и техн. полупровод. , Т.34,N1 , с. С.19-22 , 01.2000
|
