Засавицкий И.И. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Цветков В.А. ,     Садофьев Ю.Г. ,     Скориков М.Л. ,     Казаков И.П. ,     Цехош В.И. Магнитная локализация носителей заряда в квантовых ямах полупроводниковой ассимметричной двухъямной структуры. Письма в ЖЭТФ , Т.62,N6 , с. C.500-505 , 01.1995   Засавицкий И.И. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Цветков В.А. ,     Садофьев Ю.Г. ,     Скориков М.Л. ,     Казаков И.П. ,     Цехош В.И. Магнитная локализация носителей заряда в квантовых ямах асимметричной двухъямной квантоворазмерной структуры. I-107777 2 Российская конференция по физике полупроводников. С.-Петербург,1996: Тезисы , Т.II , с. C.128 , 01.1996   Виноградов В.С. ,     Водопьянов Л.К. ,     Садофьев Ю.Г. ,     Козырев С.П. Влияние упругих напряжений на ИК спектра решеточных колебаний в эпитаксиальных пленках ZnSe на подложке GaAs. Физ. тверд. тела , Т.41,N11 , с. C.1948-1952 , 01.1999   Багаев В.С. ,     Зайцев В.В. ,     Онищенко Е.Е. ,     Садофьев Ю.Г. Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe выращенных методом МПЭ на подложках GaAs (100). Физ. тверд. тела , Т.42,N2 , с. C.230-234 , 01.2000   Виноградов В.С. ,     Водопьянов Л.К. ,     Садофьев Ю.Г. ,     Козырев С.П. Спектры решеточного ИК-отражения напряженных сверхрешеток ZnSe / Zn_1-xCd_xSe выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Физ. тверд. тела , Т.43,N7 , с. C.1310-1314 , 01.2001

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад