Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Стоклицкий С.А. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Монемар Б.. ,     Хольц П.О. ,     Сингх М.. Оптическое наблюдение формирования электрополевого домена в GaAs/AlGaAs сверхрешетке n~+-i-n~+-типа с широкими квантовыми ямами. Письма в ЖЭТФ , Т.61,N5 , с. C.399-404 , 01.1995   Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Митягин Ю.А. ,     Расулова Г.К. Эффект резонансного туннелирования по возбужденным подзонам. Письма в ЖЭТФ , Т.65,N11 , с. С.818-822 , 01.1997   Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Чижевский Е.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Цховребов А.М. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Белоушкин А.А. ,     Игнатьев А.С. Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором. Физ. и техн. полупровод. , Т.32,N1 , с. C.124-127 , 01.1998

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад