Карузский А.Л. ,     Горелик В.С. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Комбинационное рассеяние и антистоксова люминесценция в GaP при т=4.2К. Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.54   Карузский А.Л. ,     Горелик В.С. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Поляритонное комбинационное рассеяние света в фоторефрактивном кристалле LiNbO(3) при N=4.2К. Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.55   Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Исследование глубоких примесных центров в ZNTe методом оптической спектроскопии вторичного излучения при Т=4.2К. Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.56   Карузский А.Л. ,     Горелик В.С. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Комбинационное рассеяние света в кристаллах а-серы при гелиевых температурах. Межд. конф."Комбинационное рассеяние", 16-19 ноября 1998 , с. С.3   Мурзин В.Н. ,     Журкин Б.Г. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Мельник Н.Н. ,     Цикунов А.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Богонин И.А. ,     Волчков Н.А. ,     Орликовский А.А. ,     Свербиль П.П. ,     Ткаченко С.Д. Исследование алмазоподобных покрытий, полученных методом лазерного импульсного распыления графита в высоком вакууме. Микроэлектроника , Т.25,N3 , с. C.203-210 , 01.1996   Карузский А.Л. ,     Горелик В.С. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Комбинационное рассеяние света на фононах и поляритонах в ниобате и танталате лития. Изв. АН СССР. Сер.физ. , Т.64,N6 , с. C.1132-1136 , 01.2000

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад