Родился 04.01.1959, г. Булаево Северо-Казахстанской области В 1981 г. окончил Новосибирский госуниверситет, затем занимался научной деятельностью в Институте физики полупроводников СО АН СССР (г. Новосибирск). В 1990 г. защитил кандидатскую диссертацию «Структурные перестройки на поверхности кремния при сублимации, гомоэпитаксии и фазовых переходах по данным отражательной электронной микроскопии», а в 1998 г. защитил докторскую диссертацию «Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов». В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «нанотехнология, нанодиагностика»). С 1998 г. А.В. Латышев является заведующим лабораторией «Нанодиагностики и нанолитографии», а с 2007 г. избран заместителем директора по научным вопросам Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Член Бюро по 21.05.2019 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН (Бюро) Член-корреспондент c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (нанотехнологии, нанодиагностика) Академик РАН c 28.10.2016 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (элементная база, нанодиагностика)

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад