Сафаралиев Г.К. является известным ученым в области физики широкозонных полупроводников и высокотемпературной электроники. Ему принадлежит приоритет в создании и изучении свойств новой группы полупроводниковых материалов – твердых растворов на основе карбида кремния. Проведенные теоретические и фундаментальные исследования, созданные математические модели, полученные полупроводниковые и керамические материалы, а также приборы и изделия на их основе, полученные впервые новые научные результаты являются перспективным научным направлением в области высокотемпературной электроники. Основные результаты его научных изысканий опубликованы в более чем 250 научных работах. Научные труды профессора Сафаралиева Г.К. опубликованы в известных российских и зарубежных научных журналах: «Физика и техника полупроводников», «Журнал технической физики», «Неорганические материалы», «Известия Вузов. Физика», «Письма в ЖТФ», «Semicondactors», «Physica status solidi», «J.Amer. Ceram. Soc.», изданы монографии «Твердые растворы на основе карбида кремния», «Керамические материалы на основе sic» и др. Он автор 50 изобретений, на которые получены авторские свидетельства и патенты. Будучи с 1999 года депутатом Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации интенсивно работал над законодательством в области науки. За этот период им в соавторстве изданы 6 монографий. Сафаралиев Г.К. проводит большую работу по подготовке научных кадров. Им создана своя научная школа и подготовлено 26 кандидатов наук и 5 докторов наук. Многие ученики профессора Сафаралиева Г.К. работают в вузах и научных институтах России и США. При активном участии Сафаралиева Г.К. были подготовлены и проведены ряд Всероссийских совещаний по физике и технологии широкозонных полупроводников, по региональной политике Высшей школы и Международные семинары по линии ЮНЕСКО. Г.К. Сафаралиев - лауреат премии Правительства Российской Федерации в области образования, заслуженный деятель науки Российской Федерации. Награжден орденами Дружбы и Почета Ключевые слова Элементная база вычислительных систем, микро-, нано- и оптоэлектроника

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад