Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Трофимов В.Т. Параметры глубокого центра в ненапряженных и напряженных эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In(0<=x<=0,25). Пр.ФИАН , N259 , с. 31 c. , 01.1988 Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Трофимов В.Т. Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.23,N11 , с. C.2019-2026 , 01.1989 Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Ширков А.В. , Валейко М.В. , Рухадзе З.А. Квантоворазмерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb_1-xEu_xSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Физ. и техн. полупровод. , Т.24,N8 , с. C.1437-1443 , 01.1990 Засавицкий И.И. , Мацонашвили Б.Н. , Гейман К.И. , Матвеенко А.В. , Валейко М.В. Деформационные потенциалы PbTe. Физ. тверд. тела , Т.33,N4 , с. C.1086-1093 , 01.1991