| |
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Асланов Г.А.
Нелинейность фотопроводимости германия с примесями ртути, кобальта и цинка при возбуждении излучением с = 10,6 мкм.
Физ. и техн. полупровод. , Т.27,N2 , с. C.277-284 , 01.1993
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Болтаев А.П. , Бурбаев Т.М. , Калюжная Г.А.
Эффект отрицателной емкости в гетероструктурах Ni-TiO{2}-pSi.
Физ. и техн. полупровод. , Т.28,N9 , с. C.1569-1575 , 01.1994
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Асланов Г.А.
Примесный фоторезистор в режиме импульсного оптического гетеродинирования.
Физ. и техн. полупровод. , Т.29,N1 , с. C.9-18 , 01.1995
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Калюжная Г.А. , Ноздрин В.С.
Экранирование переменного магнитного поля пленками и монокристаллами высокотемпературных сверхпроводников.
Физ. тверд. тела , Т.39,N2 , с. C.228-230 , 01.1997
- Пенин Н.А. , Курбатов В.А. , Бурбаев Т.М. , Красносвободцев С.И. , Ноздрин В.С. , Малакшинов Н.П.
Использование эффекта экранирования магнитного поля пленками ВТСП для коммутации СВЧ-сигналов.
Письма в ЖТФ , Т.24,N13 , с. C.76-81 , 01.1998
- Пенин Н.А. , Сибельдин Н.Н. , Курбатов В.А. , Болтаев А.П. , Бурбаев Т.М. , Рзаев М.М.
Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния.
Изв. АН СССР. Сер.физ. , Т.63,N2 , с. C.312-316 , 01.1999
|
