Анизотропия поглощения поляризованного света в полупроводниках, возникающая под действием сильного электрического поля
Общая информация
Келдыш Л.В.
,
Багаев В.С.
,
Берозашвили Ю.Н.
,
Белоусова Т.Я.
IX Междунар.конф. по физ. полупроводников. Москва.
, с. С.133
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад