Определение эффективной массы дырок в кристаллах PbSnSe из измерений эффекта Нернста-Эттингсгаузена
Общая информация
Шотов А.П.
,
Кучеренко И.В.
,
Тактакишвили М.С.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.7,N4
, 01.1973 , с. C.822-824
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад