Физ. и техн. полупровод. , 01.1970    Включает:   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. ,     Михалевич В.Г. ЭПР фосфора в компенсированном n-Si при одноосном сжатии , 01.1970   Чуенков В.А. Влияние магнитного поля на ударную ионизацию в валентных полупроводниках с эллипсоидальными поверхностями равной энергии , 01.1970 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад