Квант. электрон. , 01.1982    Включает:   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Чиковани Р.И. ,     Елисеев П.Г. ,     Бычкова Л.П. ,     Сагинури М.И. Анализ факторов влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1-xSn_xSe , 01.1982   Соболев Н.Н. ,     Очкин В.Н. ,     Автономов В.П. ,     Удалов Ю.Б. ,     Бельтюгов В.Н. ,     Троицкий Ю.В. ,     Спиридонов М.В. ,     Кузнецов А.А. СО_2- лазер на секвенциальных переходах с комбинированным резонатором , 01.1982   Кудрявцев Е.М. ,     Демин А.И. ,     Волков А.Ю. ,     Веденеев А.А. ,     Брюне М.. ,     Милевски Е.. ,     Станьцо Е.. Влияние противодавления на работу 18,4 мкм СО_2-ГДЛ , 01.1982 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад