Включает:   Shotov A.P. ,     Berozashvili Y.N. ,     Keldysh L.V. ,     Vul B.M. ,     Zavaritskaya E.I. ,     Bagaev V.S. About the energy spectrum of the heavily doped GaAs (Об энергетическом спектре сильно легированного арсенида галлия) / Ed.Dunod Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад