About the energy spectrum of the heavily doped GaAs (Об энергетическом спектре сильно легированного арсенида галлия) / Ed.Dunod
Общая информация
Shotov A.P.
,
Berozashvili Y.N.
,
Keldysh L.V.
,
Vul B.M.
,
Zavaritskaya E.I.
,
Bagaev V.S.
Radiative recombination. Simpos. 7-th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors, Paris, 1964
, с. P.149-154
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад