Наблюдение электрических "доменов" в высокоомном GaAs при помощи электрооптического эффекта
Общая информация
Вул Б.М.
,
Багаев В.С.
,
Берозашвили Ю.Н.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.6,N1
, 01.1967 , с. C.464-467
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад