Физ. и техн. полупровод. , 01.1967    Включает:   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Гоголин О.В. Использование высокоомных кристаллов GaAs для модуляции света , 01.1967 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад