Использование высокоомных кристаллов GaAs для модуляции света
Общая информация
Багаев В.С.
,
Копыловский Б.Д.
,
Берозашвили Ю.Н.
,
Гоголин О.В.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.1,N8
, 01.1967 , с. C.1202-1206
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад