Спонтанное рекомбинационное излучение диодов из арсенида индия
Общая информация
Пенин Н.А.
,
Галкина Т.И.
,
Рассушин В.А.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.1,N2
, 01.1967 , с. C.230-235
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад