Емкость запирающего слоя контакта металл-полупроводник с учетом концентрации основных носителей заряда
Общая информация
Пенин Н.А.
Радиотехн. и электрон.
,
Т.11,N7
, 01.1966 , с. C.1303-1305
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад