Включает:   Пенин Н.А. ,     Волков Б.А. ,     Журкин Б.Г. Влияние одноосного сжатия и компенсации на ЭПР фосфора в сильнолегированном n-кремнии   Келдыш Л.В. ,     Багаев В.С. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Белоусова Т.Я. Анизотропия поглощения поляризованного света в полупроводниках, возникающая под действием сильного электрического поля Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад