Включает:   Засавицкий И.И. ,     Коварский В.А. Особенности электрон-дырочной рекомбинации в InSb при низких температурах. Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад