Физ. и техн. полупровод. , 01.1970    Включает:   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Перестройка частоты когерентного излучения антимонида индия с помощью магнитного поля , 01.1970   Пенин Н.А. ,     Журкин Б.Г. ,     Гинодман В.Б. ,     Гладков П.С. Зависимость сверхтонкого расщепления от одноосного сжатия в спектре ЭПР фосфора в сильнолегированном кремнии n-типа , 01.1970   Демешина А.И. ,     Мурзин В.Н. ,     Корчажкина Р.Л. ,     Кузнецова Н.Н. Длинноволновое инфракрасное поглощение в n-Ge, обусловленное взаимодействием примесей , 01.1970 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад