Влияние сильного магнитного поля на разогрев электронов в n-Ge
Общая информация
Шотов А.П.
,
Леонов Ю.С.
,
Веселаго В.Г.
,
Глушков М.В.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.4,N8
, 01.1970 , с. C.1476-1482
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад