Подвижность носителей тока в кристаллах PbSe в интервале температур 4.2-300 К.
Общая информация
Шотов А.П.
,
Кучеренко И.В.
,
Королев Ю.Н.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.5,N5
, 01.1971 , с. C.982-984
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад