Физ. и техн. полупровод.,Т.6,N7

Общая информация

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Влияние магнитного поля на спонтанное когерентное излучение p-n переходов в PbSe , 01.1972

  2.   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Соловьев Н.Н. Измерение слабой модуляции излучения с помощью фотосопротивления , 01.1972




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад