Физ. и техн. полупровод.,Т.6,N7
Общая информация
Физ. и техн. полупровод.
, 01.1972
Включает:
Шотов А.П.
,
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
Влияние магнитного поля на спонтанное когерентное излучение p-n переходов в PbSe
, 01.1972
Пенин Н.А.
,
Курбатов В.А.
,
Болтаев А.П.
,
Соловьев Н.Н.
Измерение слабой модуляции излучения с помощью фотосопротивления
, 01.1972
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад