Электрические свойства кристаллов Pb_1-xSn_xSe, выращенных из паровой фазы
Общая информация
Шотов А.П.
,
Кучеренко И.В.
,
Королев Ю.Н.
,
Чижевский Е.Г.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.6,N8
, 01.1972 , с. C.1508-1513
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад