О роли легких дырок в рекомбинационном излучении и электропроводности чистых кристаллов InSb при низких температурах
Общая информация
Шотов А.П.
,
Гришечкина С.П.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.17,N7
, 01.1973 , с. C.328-332
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад