Физ. и техн. полупровод. , 01.1973    Включает:   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. Особенности излучательной рекомбинации в чистых кристаллах InSb при низких температурах , 01.1973   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С. Определение эффективной массы дырок в кристаллах PbSnSe из измерений эффекта Нернста-Эттингсгаузена , 01.1973 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад