Особенности излучательной рекомбинации в чистых кристаллах InSb при низких температурах
Общая информация
Шотов А.П.
,
Гришечкина С.П.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.7,N4
, 01.1973 , с. C.707-710
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад