Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe
Общая информация
Шотов А.П.
,
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Гуреев Д.М.
,
Даварашвили О.И.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.9,N10
, 01.1975 , с. C.1902-1908
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад