Кратк. сообщ. по физ.,N4

Общая информация

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Чижевский Е.Г. ,     Даварашвили О.И. Легирование индием полупроводников с узкой запрещенной зоной , 01.1976

  2.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бабушкин А.В. Фотопроводность полупроводниковых слоев Pb_1-xSn_xSe и Pb_1-xSn_xTe, легированных йодом , 01.1976




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад